Datenbestand vom 10. Juli 2019

Warenkorb Datenschutzhinweis Dissertationsdruck Dissertationsverlag Institutsreihen     Preisrechner

aktualisiert am 10. Juli 2019

ISBN 9783843921664

Euro 72,00 inkl. 7% MwSt


978-3-8439-2166-4, Reihe Elektronik

Ernst Seler
Funktionalisierte Mikrowellenübergänge in eWLB-Technologie

142 Seiten, Dissertation Universität Erlangen-Nürnberg (2015), Softcover, A5

Zusammenfassung / Abstract

Der hoch-innovative Ansatz der Kombination der höchsten Integration (realisiert im IC) sowie von nahezu verlustloser Leitertechnologie (luftgefüllter Hohlleiter) bei mm-Wellen ist erstmals effektiv durch die eWLB-Gehäuse-Technologie realisiert worden. eWLB-Gehäuse für Zwei- und Vierkanal-Anwendungen mit direkter Verbindung des Chips mit luftgefüllten Hohlleitern über den Fan-OutBereich des Gehäuses zeigen hervorragende elektromagnetische Eigenschaften. Der Anschluss des Chips findet dabei mit Signalen statt, welche durch einen TEM-Mode geführt werden. Im luftgefüllten Hohlleiter hingegen ist ein TE-Modeausbreitungsfähig.FürdiesomitnotwendigeModen-Transformation wurden im Fan-Out-Bereich des eWLB-Gehäuses SIW-Strukturen eingebaut. Das elektromagnetische Konzept dieser sogenannten TE10-Launcherwurdein dieser Arbeit neu entwickelt sowie bzgl. der Größe und Leistungsfähigkeit für 77GHz optimiert. Es zeigt sich die Möglichkeit der breitbandigen Realisierung. Die Einfügungsdämpfung von 1,5dB der Übergänge ist nur unwesentlich größer als die Leitungsverluste, welche die eingesetzten HF-Materialien besitzen. Dieser innovative Technologie-Ansatz wurde in dieser Arbeit ausführlich durch Simulation und Messung charakterisiert. Durch die Realisierung der SIW-Technologie im Fan-Out-Bereich des eWLB-Gehäuses können weitere Komponenten dieser Technologie, wie Filter oder Antenne, ebenfalls im eWLB eingebracht werden. Es eröffnen sich auch neue Möglichkeiten für HF-Systemansätze, bei denen Leitungsverbindungen und passive Komponenten in Hohlleitertechnologie in metallischen oder metallisierten Bauteilen mit effektiver Verbindung zu integrierten Schaltkreisen machbar sind. Deren elektromagnetische Leistungsfähigkeit ist dabei mit konventionellen Technologien nicht erreichbar.