Datenbestand vom 29. November 2024
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aktualisiert am 29. November 2024
978-3-8439-2806-9, Reihe Elektrotechnik
Fabian Kiefer Kontaktierung Ionen-implantierter Boremitter in n-Typ Silizium-Solarzellen mittels Silber/Aluminium-Pasten
143 Seiten, Dissertation Universität Hannover (2016), Softcover, B5
Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit Bor-dotierten Ionen-implantierten p+-Emittern für Solarzellen auf n-Typ Silizium und deren Kontaktierung mittels Metallpasten-Druck. Üblicherweise werden dafür Silber-Pasten eingesetzt, denen ein geringer Anteil Aluminium beigemischt wird. Dadurch können zur p+-Schicht ausreichend niedrige spezifische Kontaktwiderstände erreicht werden.
Ein Ziel der Arbeit ist, die Kontaktausbildung zwischen Ag/Al-Paste und Silizium zu verstehen und damit die elektrischen Eigenschaften des Kontaktes zu erklären. Desweiteren sollen die gewonnenen Erkenntnisse dazu benutzt werden, den Wirkungsgrad von n-Typ PERT (passivated emitter, rear totally diffused) Solarzellen zu verbessern.