Datenbestand vom 02. Oktober 2024
Tel: 0175 / 9263392 Mo - Fr, 9 - 12 Uhr
Impressum Fax: 089 / 66060799
aktualisiert am 02. Oktober 2024
978-3-8439-4084-9, Reihe Elektrotechnik
Jennifer Lautner Untersuchung von Galliumnitrid-Transistoren für den Einsatz in der Antriebstechnik
180 Seiten, Dissertation Universität Erlangen-Nürnberg (2019), Softcover, A5
Die aktuellen Trends bei elektrischen Antriebssystemen, wie Integration, Miniaturisierung und Senkung des Energieverbrauchs, stellen immer höhere Anforderungen an die Leistungsdichte und den Wirkungsgrad des Antriebsumrichters. Mit der konventionellen Silizium-Technologie wird es jedoch zunehmend schwieriger, den steigenden Erwartungen gerecht zu werden. Der Einsatz von effizienteren Leistungshalbleiterbauelementen basierend auf neuen Halbleitermaterialien, wie Galliumnitrid (GaN), bietet hierbei eine vielversprechende Alternative. Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich daher mit der Untersuchung von neuartigen GaN-Transistoren und deren Anwendung in der Antriebstechnik.